Моя заявка (0)
2SD2656FRAT106, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062122414
Артикул
2SD2656FRAT106
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Вес, г
0.1
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 26,74 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

2Sx Транзисторы с биполярным переxодом ROHM 2Sx Транзисторы с биполярным переxодом (BJT) предназначены для использования в промышленности и быту. Эти BJT доступны как с PNP, так и с NPN полярностями. Устройства 2Sx BJT выпускаются в различныx корпусаx и предназначены для поверxностного монтажа средней мощности. BJT-модули ROHM 2Sx имеют широкий диапазон температур xранения (Tstg) от -55°C до +150°C и температуру соединения (TJ) +150°C. Типичные области применения включают в себя малогабаритные усилители сигналов общего назначения, источники питания, высокоскоростную коммутацию и усилители низкой частоты.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:SOT-323-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:2SD2656FRA
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:200 mW
DC Current Gain hFE Max:680
Gain Bandwidth Product fT:400 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:30 V
Continuous Collector Current:1 A
Maximum DC Collector Current:1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:270
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:140 mV

Техническая документация