Моя заявка (0)

2SD2654TLW, Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN

2SD2654TLW, Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006313350
Артикул
2SD2654TLW
Бренд
Rohm
Pin Count
3
Вес, г
1
Длина
1.6 mm
Package Type
SOT-416(SC-75A)
Цена по запросу
(от 34,30 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Длина1.6 mm
Package TypeSOT-416(SC-75A)
Высота0.7 mm
Ширина0.8 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation200 mW
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаROHM Semiconductor
Maximum DC Collector Current150 mA
Maximum Emitter Base Voltage12 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage60 V
Maximum Collector Emitter Voltage50 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности150 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)12 V
Непрерывный коллекторный ток0.15 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.15 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.1200 at 1 mA at 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)1200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)250 MHz

Техническая документация