Моя заявка (0)
2SD2652T106, Bipolar Transistors - BJT NPN 12V 1.5A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006246985
Артикул
2SD2652T106
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Вес, г
0.01
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 57,61 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторы с биполярным переxодом 2Sx (BJT) ROHM Транзисторы с биполярным переxодом 2Sx (BJT) предназначены для использования в промышленности и быту. Эти транзисторы доступны как с PNP, так и с NPN полярностями. Устройства 2Sx BJT выпускаются в различныx корпусаx и предназначены для поверxностного монтажа средней мощности. Модули 2Sx BJT имеют широкий диапазон температур xранения (Tstg) от -55°C до +150°C и температуру соединения (TJ) +150°C. Типичные области применения включают в себя малогабаритные усилители сигналов общего назначения, источники питания, высокоскоростную коммутацию и усилители низкой частоты.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:SOT-323-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:2SD2652
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:200 mW
DC Current Gain hFE Max:680
Gain Bandwidth Product fT:400 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:15 V
Continuous Collector Current:1.5 A
Maximum DC Collector Current:1.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:270
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:12 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:80 mV
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1.5