Моя заявка (0)

2SD2391T100Q, 100nA 60V 2W 120@500mA,2V 2A 210MHz 130mV@1A,50mA NPN +150-@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT

2SD2391T100Q, 100nA 60V 2W 120@500mA,2V 2A 210MHz 130mV@1A,50mA NPN +150-@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015783889
Артикул
2SD2391T100Q
Бренд
Rohm
Вес, г
0.03
Длина
4.5 mm
Серия
2SD2391
Высота
1.5 mm
Цена по запросу
(от 44 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V 2A

Технические параметры

Вес, г0.03
Длина4.5 mm
Серия2SD2391
Высота1.5 mm
КорпусSOT-89/TO-243
Ширина2.5 mm
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)2A
Pd - Power Dissipation2W
Power Dissipation (Pd)2W
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)210MHz
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-89-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)120@500mA, 2V
Maximum DC Collector Current2A
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage60V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)60V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности2 W
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)130mV@1A, 50mA
Непрерывный коллекторный ток2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора6 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.13 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.270
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц210
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)45
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)210 MHz

Техническая документация