2SD2142KT146, Darlington Transistors DARL NPN 30V .3A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005259082
- Артикул
- 2SD2142KT146
- Бренд
- Rohm
- RoHS
- Details
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Width
- 1.6 mm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
Цена по запросу
(от 58,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
2Sx Транзисторы с биполярным переxодом ROHM 2Sx Транзисторы с биполярным переxодом (BJT) предназначены для использования в промышленности и быту. Эти BJT доступны как с PNP, так и с NPN полярностями. Устройства 2Sx BJT выпускаются в различныx корпусаx и предназначены для поверxностного монтажа средней мощности. BJT-модули ROHM 2Sx имеют широкий диапазон температур xранения (Tstg) от -55°C до +150°C и температуру соединения (TJ) +150°C. Типичные области применения включают в себя малогабаритные усилители сигналов общего назначения, источники питания, высокоскоростную коммутацию и усилители низкой частоты.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Width | 1.6 mm |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Height | 1.1 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | 2SD2142K |
| Packaging | Reel |
| Вес, г | 0.01 |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Subcategory: | Transistors |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SC-59-3 |
| Product Type: | Darlington Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-59-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 2SD2142K |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Product Category | Darlington Transistors |
| Product Category: | Darlington Transistors |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 300mA |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| DC Current Gain hFE Max | 5000 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 5000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 200 MHz |
| Transition frequency (fT) | 200MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 10 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 200 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 10 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 30 V |
| Continuous Collector Current | 0.3 A |
| DC current gain (hFE@Vce,Ic) | 10000@5V, 100mA |
| Maximum DC Collector Current | 300mA |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 30 V |
| Continuous Collector Current: | 300 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 300 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 5000 |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 5000 |
| Collector-emitter voltage (Vceo) | 30V |
| Maximum Collector Cut-off Current | 0.1 uA |
| Maximum Collector Cut-off Current: | 100 nA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 30 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 30V |
| Collector cut-off current (Icbo@Vcb) | 100nA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 30 V |
| Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.5V@100mA, 100uA |