Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005508214
Артикул
2SD2118TLQ
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Вес, г
0.13
Длина
6.5 mm
Серия
2SD2118
Цена по запросу
(от 112,93 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 20V 5A

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Вес, г0.13
Длина6.5 mm
Серия2SD2118
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Высота2.3 mm
Ширина5.5 mm
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:1 W
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
DC Current Gain hFE Max:390
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Gain Bandwidth Product fT:150 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Торговая маркаROHM Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Continuous Collector Current:5 A
Maximum DC Collector Current:5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:120
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:20 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:300 mV
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности2 W
Размер фабричной упаковки2500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.20 V
Максимальный постоянный ток коллектора10 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.390
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)150 MHz

Техническая документация