2SD2114KT146V, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 20 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8960654495
- Артикул
- 2SD2114KT146V
- Бренд
- Rohm
- RoHS
- Details
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Width
- 1.6 mm
- Height
- 1.1 mm
Цена по запросу
(от 47 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 20V 0.5A
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Width | 1.6 mm |
| Height | 1.1 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | 2SD2114K |
| Packaging | Reel |
| Вес, г | 0.11 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | 2SD2114K |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Высота | 1.1 mm |
| Корпус | SOT-346 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-59-3 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 0.2 W |
| DC Current Gain hFE Max | 2700 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 350 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 12 V |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-59-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 25 V |
| Continuous Collector Current | 0.5 A |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 820 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 20 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.18 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 25 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.18 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 2700 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 820 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 350 MHz |