2SD1898T100Q, 1uA 80V 2W 120@500mA,3V 1A 100MHz 150mV@500mA,20mA NPN +150-@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015760466
- Артикул
- 2SD1898T100Q
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Вес, г
- 0.36
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 38 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
80 В 2 Вт 120 при 500 мА, 3 В 1 А Биполярные транзисторы NPN SOT-89-3 - BJT ROHS
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Вес, г | 0.36 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-89/TO-243 |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 390 |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@500mA, 3V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 120 V |
| Continuous Collector Current: | 1 A |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 82 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 150 mV |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@500mA, 20mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |