2SD1816T-TL-H, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005368410
- Артикул
- 2SD1816T-TL-H
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.8
- Серия
- 2SD1816
- Package Type
- TP-FA
Цена по запросу
(от 137,56 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 4A 100V
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.8 |
| Серия | 2SD1816 |
| Package Type | TP-FA |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Maximum Operating Frequency | 180 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Maximum DC Collector Current | 4 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 120 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Размер фабричной упаковки | 700 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |