2SD1816S-TL-E, 1uA 100V 20W 140@500mA,5V 4A 180MHz NPN 150mV@2A,200mA +150°C@(Tj) TP-FA BIpolar TransIstors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062379783
- Артикул
- 2SD1816S-TL-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.39
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 700 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.39 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 4A |
| Factory Pack Quantity: | 700 |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Transition Frequency (fT) | 180MHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 180 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 140@500mA, 5V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 120 V |
| Maximum DC Collector Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 150 mV |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 100V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@2A, 200mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 180 |