2SD1815S-TL-E, Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001346774
- Артикул
- 2SD1815S-TL-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 0.05
- Серия
- 2SD1815
- Package Type
- TP-FA
Цена по запросу
(от 106 ₽)
Минимальный заказ: 715 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 3A 100V
Технические параметры
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.05 |
| Серия | 2SD1815 |
| Package Type | TP-FA |
| Корпус | TO-252/DPAK |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 140 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 120 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Размер фабричной упаковки | 700 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 140 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |