2SD1805G-E, Trans GP BJT NPN 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001000693
- Артикул
- 2SD1805G-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Type
- NPN
Цена по запросу
(от 89 ₽)
Минимальный заказ: 960 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Сумка IPAK Trans GP BJT NPN 20V 5A 1000 МВт с 3-контактным разъемом (3+язычка)
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Type | NPN |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Bag |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 0.05 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Configuration | Single |
| Package Width | 2.3 mm |
| Package Length | 6.5 mm |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | IPAK |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | TO-251 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Minimum DC Current Gain | 280@500mA@2V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Maximum Base-Emitter Voltage (V) | 6 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 5 |
| Maximum Collector-Base Voltage (V) | 60 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 120(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 20 |
| Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.5@60mA@3A |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@60mA@3A |