Моя заявка (0)

2SD1802T-TL-E, 1uA 50V 1W 3A 150MHz 190mV@2A,100mA NPN +150°C@(Tj) TO-252-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

2SD1802T-TL-E, 1uA 50V 1W 3A 150MHz 190mV@2A,100mA NPN +150°C@(Tj) TO-252-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017637577
Артикул
2SD1802T-TL-E
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1
Серия
2SD1802
Корпус
to252
Power Dissipation
15Вт
Цена по запросу
(от 366 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING

Технические параметры

Вес, г1
Серия2SD1802
Корпусto252
Power Dissipation15Вт
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min200hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-252-3
Continuous Collector Current3А
Collector Emitter Voltage Max50В
кол-во в упаковке700
DC Усиление Тока hFE200hFE
Частота Перехода ft150МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности15 W
Размер фабричной упаковки700
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора6 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.19 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.400
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц150
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)150 MHz

Техническая документация