2SD1767T100Q, Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 0.7A
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061464822
- Артикул
- 2SD1767T100Q
- Бренд
- Rohm
- RoHS
- Details
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Width
- 2.5 mm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
Цена по запросу
(от 25,72 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 80V 0.7A
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Width | 2.5 mm |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Height | 1.5 mm |
| Length | 4.5 mm |
| Series | 2SD1767 |
| Packaging | Reel |
| Вес, г | 0.14 |
| Длина | 4.5 mm |
| Серия | 2SD1767 |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 0.004603 oz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Subcategory: | Transistors |
| Высота | 1.5 mm |
| Ширина | 2.5 mm |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| DC Current Gain hFE Max | 390 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| DC Current Gain hFE Max: | 390 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 120 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 120 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
| Continuous Collector Current | 0.7 A |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Continuous Collector Current: | 700 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 700 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 120 |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 120 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.2 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 200 mV |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.7 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |