2SD1624S-TD-E, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070431519
- Артикул
- 2SD1624S-TD-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.1
- Серия
- 2SD1624
- Package Type
- PCP
Цена по запросу
(от 109 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 3A 50V
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | 2SD1624 |
| Package Type | PCP |
| Корпус | SOT-89/TO-243 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 140, 200 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |