2SD1624S-TD-E, Транзистор биполярный BJT 1мкА 50 В 500мВт 3 А 150 МГц 190 мВ при 2 А, 100 мА NPN +150°C @(Tj) SOT-89-3 - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062913258
- Артикул
- 2SD1624S-TD-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.13
- Серия
- 2SD1624
- Package Type
- PCP
Цена по запросу
(от 62 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 3A 50V
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.13 |
| Серия | 2SD1624 |
| Package Type | PCP |
| Корпус | SOT-89/TO-243 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 140, 200 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 150 |