Моя заявка (0)

2SD1623T-TD-E, 100nA 50V 500mW 2A 150MHz 150mV@1A,50mA NPN +150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

2SD1623T-TD-E, 100nA 50V 500mW 2A 150MHz 150mV@1A,50mA NPN +150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017637575
Артикул
2SD1623T-TD-E
Бренд
ON Semiconductor***
MSL
MSL 1-Unlimited
Вес, г
0.17
No. of Pins
3Pins
Корпус
SOT-89/TO-243
Цена по запросу
(от 51,15 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Вес, г0.17
No. of Pins3Pins
КорпусSOT-89/TO-243
Transistor TypeNPN
Power Dissipation500mW
Структураnpn
Transistor MountingSurface Mount
Transistor PolarityNPN
Transition Frequency150MHz
Transistor Case StyleSOT-89
Collector Current (Ic)2A
Power Dissipation (Pd)500mW
DC Current Gain hFE Min200hFE
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency (fT)150MHz
Continuous Collector Current2A
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@100mA, 2V
Collector Emitter Voltage Max50V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)150mV@1A, 50mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц150