Моя заявка (0)

2SD1623T-TD-E, Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

2SD1623T-TD-E, Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001346786
Артикул
2SD1623T-TD-E
Бренд
ON Semiconductor***
MSL
MSL 1-Unlimited
Вес, г
1
No. of Pins
3Pins
Корпус
SOT-89/TO-243
Цена по запросу
(от 44 ₽)
Минимальный заказ: 1575 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Вес, г1
No. of Pins3Pins
КорпусSOT-89/TO-243
Transistor TypeNPN
Power Dissipation500mW
Структураnpn
Transistor MountingSurface Mount
Transistor PolarityNPN
Transition Frequency150MHz
Transistor Case StyleSOT-89
Collector Current (Ic)2A
Power Dissipation (Pd)500mW
DC Current Gain hFE Min200hFE
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency (fT)150MHz
Continuous Collector Current2A
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@100mA, 2V
Collector Emitter Voltage Max50V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)150mV@1A, 50mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2