2SD1616AG-G-AB3-R, 100nA 60V 750mW 200@100mA,2V 1A 160MHz 150mV@1A,50mA NPN +150-@(Tj) SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015862122
- Артикул
- 2SD1616AG-G-AB3-R
- Бренд
- Unisonic Technologies Co., Ltd.
- Вес, г
- 0.15
- Корпус
- SOT-89/TO-243
- Transistor Type
- NPN
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 10,02 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В 750 МВт, 200 при 100 мА, 2 В 1 А, биполярные транзисторы NPN SOT-89-3 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Корпус | SOT-89/TO-243 |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Power Dissipation (Pd) | 750mW |
| Transition Frequency (fT) | 160MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@100mA, 2V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@1A, 50mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 160 |