2SD1484KT146Q, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000816933
- Артикул
- 2SD1484KT146Q
- Бренд
- Rohm
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Series
- 2SD1484K
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 46 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V 0.5A
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Series | 2SD1484K |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.032 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | 2SD1484K |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Package Type | SOT-346 |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота | 1.1 mm |
| Корпус | SOT-346 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| DC Current Gain HFE Max | 120 at 10 mA, 3 V |
| Minimum DC Current Gain | 120 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 250 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
| Continuous Collector Current | 0.5 A |
| Maximum DC Collector Current | 0.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 120 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 120-170 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 120 at 0.01 A at 3 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 250 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 |