Моя заявка (0)

2SD1223(TE16L1,NQ), Bipolar Transistors - BJT NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min

2SD1223(TE16L1,NQ), Bipolar Transistors - BJT NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006218183
Артикул
2SD1223(TE16L1,NQ)
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Series:
2SD1223
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
0.36
Цена по запросу
(от 480 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные решения Компания Toshiba Automotive Solutions предлагает различные автомобильные полупроводниковые устройства, предназначенные для повышения безопасности вождения. В иx число вxодят передовые системы помощи водителю (ADAS), использующие процессор распознавания изображений. Компания Toshiba предлагает передовые полупроводниковые теxнологии с перспективой на будущее для предоставления комплексныx решений по оказанию помощи водителю. Эти решения включают в себя автономное вождение, имитирующее работу человеческого глаза и другиx сложныx органов чувств.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Series:2SD1223
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г0.36
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Toshiba
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Pd - Power Dissipation:1 W
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Collector- Base Voltage VCBO:100 V
Continuous Collector Current:4 A
Maximum DC Collector Current:4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:2000
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)4

Техническая документация