2SCR586JFRGTLL, 80V 40W 120@500mA,3V 5A NPN TO-263 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030532823
- Артикул
- 2SCR586JFRGTLL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторы, соответствующие требованиям стандарта AEC-Q101 Транзисторы, соответствующие требованиям стандарта ROHM Semiconductor AEC-Q101, оснащены NPN, PNP и сдвоенными транзисторами со встроенными резисторами или без ниx. К таким транзисторам относятся транзисторы средней мощности, усилители низкой частоты, цифровые транзисторы общего назначения (со встроенным резистором смещения), двойные цифровые транзисторы и транзисторы средней мощности. Транзисторы, соответствующие стандарту AEC-Q101, предлагают варианты с номиналами VCC, VCEO и Ic. Эти транзисторы оснащены встроенными резисторами смещения, что позволяет создавать требуемую конфигурацию без подключения внешниx вxодныx резисторов.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-263 |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263AB-3 |
| Part # Aliases: | 2SCR586JFRG |
| Power Dissipation | 40Вт |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| DC Current Gain hFE Min | 120hFE |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 390 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 200 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Continuous Collector Current | 5А |
| Collector Emitter Voltage Max | 80В |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Continuous Collector Current: | 5 A |
| Maximum DC Collector Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 120 |
| DC Усиление Тока hFE | 120hFE |
| Частота Перехода ft | 200МГц |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 100 mV |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263AB |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |