Моя заявка (0)
2SCR574D3TL1 NPN Transistor, 2 A, 80 V, 3-Pin DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030984078
Артикул
2SCR574D3TL1
Бренд
Rohm
Pin Count
3
Вес, г
0.05
Package Type
TO-252
Корпус
TO-252/DPAK
Цена по запросу
(от 130,81 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор ROHM a с низким VCE (sat), подxодящий для усилителя низкой частоты, является дополнительным PNP-транзистором типа 2SAR574D3.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.05
Package TypeTO-252
КорпусTO-252/DPAK
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Power Dissipation10Вт
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)2A
Power Dissipation (Pd)10W
DC Current Gain hFE Min120hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)280MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокTO-252
Continuous Collector Current2А
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)120@100mA, 3V
Maximum DC Collector Current2 A
Collector Emitter Voltage Max80В
DC Усиление Тока hFE120hFE
Maximum Collector Emitter Voltage80 V
Частота Перехода ft280МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)80V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности10 W
Другие названия товара №2SCR574D3
Размер фабричной упаковки2500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@50mA, 1A
Непрерывный коллекторный ток2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер100 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.390
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)280 MHz

Техническая документация