Моя заявка (0)

2SCR572D3FRATL, Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 5A 10W TO-252(DPAK)

2SCR572D3FRATL, Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 5A 10W TO-252(DPAK)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006252228
Артикул
2SCR572D3FRATL
Бренд
Rohm
Вес, г
1
Корпус
DPAK/TO-252
Power Dissipation
10Вт
Структура
npn
Цена по запросу
(от 175,92 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V 5A 10W TO-252(DPAK)

Технические параметры

Вес, г1
КорпусDPAK/TO-252
Power Dissipation10Вт
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min200hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокTO-252-3
Continuous Collector Current5А
Collector Emitter Voltage Max30В
DC Усиление Тока hFE200hFE
Частота Перехода ft300МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности10 W
Размер фабричной упаковки2500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора10 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.500
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация