Моя заявка (0)

2SCR572D3FRATL, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount

2SCR572D3FRATL, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001658136
Артикул
2SCR572D3FRATL
Бренд
Rohm
Вес, г
0.032
Корпус
DPAK/TO-252
Power Dissipation
10Вт
Структура
npn
Цена по запросу
(от 245 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V 5A 10W TO-252(DPAK)

Технические параметры

Вес, г0.032
КорпусDPAK/TO-252
Power Dissipation10Вт
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min200hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокTO-252-3
Continuous Collector Current5А
Collector Emitter Voltage Max30В
DC Усиление Тока hFE200hFE
Частота Перехода ft300МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность ТранзистораNPN
Pd - рассеивание мощности10 W
Размер фабричной упаковки2500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора10 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.500
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В30
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация