Моя заявка (0)

2SCR554P5T100 NPN Transistor, 1.5 A, 80 V, 3 + Tab-Pin SOT-89

2SCR554P5T100 NPN Transistor, 1.5 A, 80 V, 3 + Tab-Pin SOT-89

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068862042
Артикул
2SCR554P5T100
Бренд
Rohm
Pin Count
3+Tab
Вес, г
0.05
Серия
2SxR
Package Type
SOT-89
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 80V Vceo 1.5A Ic MPT3

Технические параметры

Pin Count3+Tab
Вес, г0.05
Серия2SxR
Package TypeSOT-89
КорпусSOT-89/TO-243
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain120
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationCommon Emitter
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation500 mW
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-89-3
Maximum DC Collector Current1.5 A
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage80 V
Maximum Collector Emitter Voltage80 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности500 mW
Другие названия товара №2SCR554P5
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток1.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора1.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер100 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.390 at 100 mA, 3 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация