2SCR553RTL, Bipolar Transistors - BJT NPN 2A Ic 50V Vceo TSMT3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005259057
- Артикул
- 2SCR553RTL
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 1
- Power Dissipation
- 500мВт
- Структура
- npn
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 55,33 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 2A Ic 50V Vceo TSMT3
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 180hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TSMT-3 |
| Continuous Collector Current | 2А |
| Collector Emitter Voltage Max | 50В |
| DC Усиление Тока hFE | 180hFE |
| Частота Перехода ft | 360МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Другие названия товара № | 2SCR553R |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-346T |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 130 mV |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 360 MHz |