2SCR552P5T100, Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 3A Ic MPT3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005259053
- Артикул
- 2SCR552P5T100
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 1
- Серия
- 2SxR
- Структура
- npn
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 64,47 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V Vceo 3A Ic MPT3
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | 2SxR |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-62-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Другие названия товара № | 2SCR552P5 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 at 500 mA, 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 500 mA, 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 280 MHz |