Моя заявка (0)
2SCR542PT100, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014890076
Артикул
2SCR542PT100
Бренд
Rohm
Вес, г
0.03
Power Dissipation
500мВт
Структура
npn
Технология
Si
Цена по запросу
(от 41 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Bipolar Transistors BJT I2C BUS 2Kbit

Технические параметры

Вес, г0.03
Power Dissipation500мВт
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min200hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-89-3
Continuous Collector Current5А
Collector Emitter Voltage Max30В
DC Усиление Тока hFE200hFE
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности500 mW
Другие названия товара №2SCR542P
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-89
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.500
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)250 MHz

Техническая документация