2SCR523EBTL, Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 100мА; 150мВт; SOT416
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014888425
- Артикул
- 2SCR523EBTL
- Бренд
- Rohm
- RoHS
- Details
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Series
- 2SCR523EB
- Packaging
- Cut Tape or Reel
Цена по запросу
(от 3,30 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
TRANS, NPN, 50 В, 0,1 А, 150°C, 0,15 Вт; Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V(br) ceo: 50 В; Частота переxода ft: 350 МГц; Рассеиваемая мощность Pd: 150 МВт; Ток коллектора постоянного тока: 100 мА; Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 120hFE;
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Series | 2SCR523EB |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.1 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | EMT-3F-3 |
| Part # Aliases | 2SCR523EB |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Power Dissipation | 150мВт |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| DC Current Gain HFE Max | 560 at 1 mA, 6 V |
| DC Current Gain hFE Min | 120hFE |
| Gain Bandwidth Product FT | 350 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Maximum DC Collector Current | 200 mA |
| Collector Emitter Voltage Max | 50В |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 120 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.1 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |