2SCR514P5T100, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016145788
- Артикул
- 2SCR514P5T100
- Бренд
- Rohm
- Pin Count
- 3+Tab
- Вес, г
- 0.1
- Серия
- 2SxR
- Package Type
- SOT-89
Цена по запросу
(от 59,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 80V Vceo 700mA Ic MPT3
Технические параметры
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | 2SxR |
| Package Type | SOT-89 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 700mA |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Minimum DC Current Gain | 120 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Transition Frequency (fT) | 320MHz |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-62-3 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@100mA, 3V |
| Maximum DC Collector Current | 700 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Другие названия товара № | 2SCR514P5 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@300mA, 15mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 700 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 700 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 at 100 mA, 3 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 320 MHz |