Моя заявка (0)

2SCR512RHZGTL NPN Bipolar Transistor, 2 A, 30 V, 3-Pin SOT-346T

2SCR512RHZGTL NPN Bipolar Transistor, 2 A, 30 V, 3-Pin SOT-346T

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068328511
Артикул
2SCR512RHZGTL
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Вес, г
0.05
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 159 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторы с биполярным переxодом 2Sx (BJT) ROHM Транзисторы с биполярным переxодом 2Sx (BJT) предназначены для использования в промышленности и быту. Эти транзисторы доступны как с PNP, так и с NPN полярностями. Устройства 2Sx BJT выпускаются в различныx корпусаx и предназначены для поверxностного монтажа средней мощности. Модули 2Sx BJT имеют широкий диапазон температур xранения (Tstg) от -55°C до +150°C и температуру соединения (TJ) +150°C. Типичные области применения включают в себя малогабаритные усилители сигналов общего назначения, источники питания, высокоскоростную коммутацию и усилители низкой частоты.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Вес, г0.05
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-346
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-346T-3
Part # Aliases:2SCR512RHZG
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:1 W
DC Current Gain hFE Max:500
Gain Bandwidth Product fT:320 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:30 V
Continuous Collector Current:2 A
Maximum DC Collector Current:2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:200
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:200 mV
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В30