Моя заявка (0)

2SCR512P5T100, Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 2A Ic MPT3

2SCR512P5T100, Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 2A Ic MPT3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006348680
Артикул
2SCR512P5T100
Бренд
Rohm
Pin Count
3
Вес, г
1
Серия
2SxR
Package Type
SOT-89
Цена по запросу
(от 71 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V Vceo 2A Ic MPT3

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Серия2SxR
Package TypeSOT-89
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSC-62-3
Maximum DC Collector Current2 A
Maximum Collector Emitter Voltage30 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
Другие названия товара №2SCR512P5
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.500 at 100 mA, 2 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 100 mA, 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)320 MHz

Техническая документация