Моя заявка (0)

2SCR502UBTL, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323FL, Surface Mount

2SCR502UBTL, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323FL, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000819233
Артикул
2SCR502UBTL
Бренд
Rohm
Pin Count
3
Вес, г
0.032
Package Type
SOT-323FL
Корпус
sot-323
Цена по запросу
(от 26 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Digital Transtr Driver

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.032
Package TypeSOT-323FL
Корпусsot-323
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Power Dissipation200мВт
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)500mA
Power Dissipation (Pd)200mW
DC Current Gain hFE Min200hFE
Minimum DC Current Gain200
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationCommon Emitter
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation200 mW
Transition Frequency (fT)360MHz
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-323FL-3
Continuous Collector Current500мА
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)200@100mA, 2V
Maximum DC Collector Current500 mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Collector Emitter Voltage Max30В
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage30 V
Collector Cut-Off Current (Icbo)200nA
DC Усиление Тока hFE200hFE
Maximum Collector Emitter Voltage30 V
Частота Перехода ft360МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)30V
Полярность ТранзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Другие названия товара №2SCR502UB
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-323FL
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)100mV@200mA, 10mA
Непрерывный коллекторный ток0.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер100 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.500
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В30
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)360 MHz

Техническая документация