Моя заявка (0)

2SCR502U3HZGT106, Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 0.5A 0.2W SOT-323

2SCR502U3HZGT106, Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 0.5A 0.2W SOT-323

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005259036
Артикул
2SCR502U3HZGT106
Бренд
Rohm
Вес, г
1
Корпус
sot-323
Power Dissipation
200мВт
Структура
npn
Цена по запросу
(от 42,30 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V 0.5A 0.2W SOT-323

Технические параметры

Вес, г1
Корпусsot-323
Power Dissipation200мВт
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min200hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-323-3
Continuous Collector Current500мА
Collector Emitter Voltage Max30В
DC Усиление Тока hFE200hFE
Частота Перехода ft360МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-323
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток0.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер100 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.500
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)360 MHz

Техническая документация