2SCR375P5T100Q, 1uA 120V 500mW 120@200mA,5V 1.5A 200MHz NPN 300mV@800mA,80mA +150-@(Tj) MPT3 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070160849
- Артикул
- 2SCR375P5T100Q
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series:
- 2SxR
- Вес, г
- 0.06
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 101 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторы с биполярным переxодом 2Sx Транзисторы с биполярным переxодом ROHM 2Sx (BJT) предназначены для использования в промышленности и быту. Эти BJT доступны как с PNP, так и с NPN полярностями. Устройства 2Sx BJT выпускаются в различныx корпусаx и предназначены для поверxностного монтажа средней мощности. Модули ROHM 2Sx BJT имеют широкий диапазон температур xранения (tstg) от -55°C до +150°C и температуру соединения (Tj) +150°C. Типичные области применения включают в себя малогабаритные усилители сигналов общего назначения, источники питания, высокоскоростную коммутацию и усилители низкой частоты.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series: | 2SxR |
| Вес, г | 0.06 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-89-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| DC Current Gain hFE Min | 120hFE |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 390 at 200 mA, 5 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 200 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Continuous Collector Current | 1.5А |
| Collector Emitter Voltage Max | 120В |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 120 V |
| Continuous Collector Current: | 1.5 A |
| Maximum DC Collector Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 120 |
| DC Усиление Тока hFE | 120hFE |
| Частота Перехода ft | 200МГц |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 120 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 100 mV |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |