Моя заявка (0)

2SCR346PT100P, Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R

2SCR346PT100P, Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002289014
Артикул
2SCR346PT100P
Бренд
Rohm
Вес, г
1
Серия
2SxR
Power Dissipation
500мВт
Структура
npn
Цена по запросу
(от 72 ₽)
Минимальный заказ: 265 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 400V Vceo 100mA Ic MPT3

Технические параметры

Вес, г1
Серия2SxR
Power Dissipation500мВт
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min82hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSC-62-3
Continuous Collector Current100мА
Collector Emitter Voltage Max400В
DC Усиление Тока hFE82hFE
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-89
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)400 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.400 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер100 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.270 at 10 mA, 10 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)82 at 10 mA, 10 V

Техническая документация