2SC6076(TE16L1,NV), Bipolar Transistors - BJT Pwr Transtr Hi-Speed New PW-Mold
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062367541
- Артикул
- 2SC6076(TE16L1,NV)
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.36
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 290 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.36 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Pd - Power Dissipation: | 10 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 450 at 0.5 A, 2 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 9 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 160 V |
| Continuous Collector Current: | 3 A |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 150 at 1 mA, 2 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |