2SC6026MFVGR,L3F, Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002217991
- Артикул
- 2SC6026MFVGR,L3F
- Бренд
- Toshiba
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 8 ₽)
Минимальный заказ: 8000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT VESM PLN
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 1.2 mm |
| Серия | 2SC6026 |
| Power - Max | 150mW |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Высота | 0.5 mm |
| Ширина | 0.8 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Base Product Number | 2SA1761 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Frequency - Transition | 60MHz |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Supplier Device Package | VESM |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 60MHz |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2mA, 6V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@100mA, 10mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.15 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 60 MHz |