2SC5964-TD-E, 50V 3.5W 200@100mA,2V 3A NPN SOT-89 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030532526
- Артикул
- 2SC5964-TD-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Series
- 2SC5964
- Packaging
- Reel
Цена по запросу
(от 86 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Series | 2SC5964 |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.14 |
| Серия | 2SC5964 |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | PCP |
| Корпус | SOT-89/TO-243 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PCP-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN, PNP |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 3.5 W |
| DC Current Gain hFE Max | 560 |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 390 MHz, 380 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 3.5 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -6 V, 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | PCP-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | -50 V, 100 V |
| Continuous Collector Current | -3 A, 3 A |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 200 |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -50 V, 50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -125 mV, 100 mV |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 3.5 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V, 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A, 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V, 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V, 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 125 mV, 100 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 390 MHz, 380 MHz |