Моя заявка (0)

2SC5886A(T6L1.NQ), 100nA 50V 20W 400@500mA,2V 5A 220mV@1.6A,32mA NPN +150°C@(Tj) TO-252-2 BIpolar TransIstors - BJT

2SC5886A(T6L1.NQ), 100nA 50V 20W 400@500mA,2V 5A 220mV@1.6A,32mA NPN +150°C@(Tj) TO-252-2 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017656261
Артикул
2SC5886A(T6L1.NQ)
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.35
No. of Pins
3Pins
Power - Max
1 W
Корпус
DPAK/TO-252
Цена по запросу
(от 200 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

50 В 20 Вт 400 при 500 мА, 2 В 5 А биполярные транзисторы NPN TO-252-2 - BJT ROHS

Технические параметры

Вес, г0.35
No. of Pins3Pins
Power - Max1 W
КорпусDPAK/TO-252
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63
Transistor TypeNPN
Power Dissipation20W
Структураnpn
Transistor MountingSurface Mount
Transistor PolarityNPN
Operating Temperature-
Transistor Case StyleNew PW-Mold
Collector Current (Ic)5A
Power Dissipation (Pd)20W
DC Current Gain hFE Min400hFE
Supplier Device PackagePW-MOLD
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency (fT)-
Continuous Collector Current5A
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)400@500mA, 2V
Collector Emitter Voltage Max50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic220mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector (Ic) (Max)5 A
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA(ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce400 @ 500mA, 2V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)220mV@1.6A, 32mA

Техническая документация