Моя заявка (0)

2SC5876U3T106, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Surface Mount

2SC5876U3T106, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004231871
Артикул
2SC5876U3T106
Бренд
Rohm
Pin Count
3
Вес, г
0.5
Package Type
SOT-323
Корпус
sot-323
Цена по запросу
(от 61 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V VCEO 0.5A SOT-323

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.5
Package TypeSOT-323
Корпусsot-323
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Power Dissipation200мВт
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)500mA
Power Dissipation (Pd)200mW
DC Current Gain hFE Min120hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)300MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-323-3
Continuous Collector Current500мА
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)120@50mA, 2V
Maximum DC Collector Current500 mA
Collector Emitter Voltage Max60В
Collector Cut-Off Current (Icbo)1uA
DC Усиление Тока hFE120hFE
Maximum Collector Emitter Voltage60 V
Частота Перехода ft300МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)60V
Полярность ТранзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-323
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@10mA, 100mA
Непрерывный коллекторный ток500 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер150 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.390
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация