Моя заявка (0)

2SC5876T106R, 1uA 60V 200mW 180@50mA,2V 2A 300MHz 150mV@100mA,10mA NPN +150-@(Tj) SOT-323 Bipolar Transistors - BJT ROHS

2SC5876T106R, 1uA 60V 200mW 180@50mA,2V 2A 300MHz 150mV@100mA,10mA NPN +150-@(Tj) SOT-323 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015805759
Артикул
2SC5876T106R
Бренд
Rohm
Pin Count
3
Вес, г
0.03
Длина
2 mm
Серия
2SC5876
Цена по запросу
(от 21,86 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V 0.5A

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.03
Длина2 mm
Серия2SC5876
Package TypeUMT
Высота0.8 mm
Корпусsot-323
Ширина1.25 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation200 mW
Maximum Operating Frequency10 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокUMT-3
Maximum DC Collector Current500 mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage60 V
Maximum Collector Emitter Voltage60 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток0.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер150 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.390
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц300
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация