2SC5824T100R, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065604045
- Артикул
- 2SC5824T100R
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Вес, г
- 0.1
- Длина
- 4.5 mm
- Серия
- 2SC5824
Цена по запросу
(от 88 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V 3A
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 4.5 mm |
| Серия | 2SC5824 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Высота | 1.5 mm |
| Ширина | 2.5 mm |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | - |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 3A |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 2W |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| DC Current Gain hFE Max: | 390 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 200MHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 200 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 180@100mA, 2V |
| Maximum DC Collector Current | 3A |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Continuous Collector Current: | 3 A |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 120 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 200 mV |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@2A, 200mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |