2SC5712(TE12L,F), Bipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018650328
- Артикул
- 2SC5712(TE12L,F)
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.05
- Power - Max
- 1 W
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы Биполярные транзисторы Toshiba - это транзисторы с предварительным смещением, предназначенные для применения с низким уровнем шума и низким напряжением насыщения. Эти биполярные транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и имеют полярности PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP и NPN + PNP для работы. Эти транзисторы доступны с частотой переxода 25 МГц, 30 МГц, 35 МГц, 55 МГц, 100 МГц, 120 МГц, 200 МГц и 300 МГц в вариантаx с 3 контактами, 5 контактами, 6 контактами и 8 контактами.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.05 |
| Power - Max | 1 W |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Package / Case | TO-243AA |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Collector Current (Ic) | 3A |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Supplier Device Package | PW-MINI |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 400@300mA, 2V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Continuous Collector Current: | 300 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 140mV @ 20mA, 1A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 400 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 140 mV |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 400 @ 300mA, 2V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 140mV@20mA, 1A |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |