Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005368371
Артикул
2SC5706-TL-E
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.05
Серия
2SC5706
Структура
npn
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 113,09 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 5A 50V

Технические параметры

Вес, г0.05
Серия2SC5706
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности15 W
Размер фабричной упаковки700
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.8
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.100 V
Максимальный постоянный ток коллектора5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер160 mV
Статический коэффициент передачи тока h21э мин200
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.560
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц400
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)400 MHz
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В50

Техническая документация