2SC5663T2L, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014890115
- Артикул
- 2SC5663T2L
- Бренд
- Rohm
- RoHS
- Details
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Width
- 0.8 mm
- Height
- 0.5 mm
Цена по запросу
(от 12,62 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 12V 0.5A
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Width | 0.8 mm |
| Height | 0.5 mm |
| Length | 1.2 mm |
| Series | 2SC5663 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 1.2 mm |
| Серия | 2SC5663 |
| Subcategory | Transistors |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
| Высота | 0.5 mm |
| Ширина | 0.8 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | VMT-3 |
| Part # Aliases | 2SC5663 |
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| DC Current Gain HFE Max | 680 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 320 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | VMT-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 15 V |
| Continuous Collector Current | 500 mA |
| Maximum DC Collector Current | 0.5 A |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 270 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 12 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 90 mV |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Другие названия товара № | 2SC5663 |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 15 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 90 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 680 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 320 MHz |