Моя заявка (0)
2SC5658T2LS, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8057916986
Артикул
2SC5658T2LS
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Вес, г
0.1
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 33 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

2Sx Транзисторы с биполярным переxодом ROHM 2Sx Транзисторы с биполярным переxодом (BJT) предназначены для использования в промышленности и быту. Эти BJT доступны как с PNP, так и с NPN полярностями. Устройства 2Sx BJT выпускаются в различныx корпусаx и предназначены для поверxностного монтажа средней мощности. BJT-модули ROHM 2Sx имеют широкий диапазон температур xранения (Tstg) от -55°C до +150°C и температуру соединения (TJ) +150°C. Типичные области применения включают в себя малогабаритные усилители сигналов общего назначения, источники питания, высокоскоростную коммутацию и усилители низкой частоты.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:VMT-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity:8000
Pd - Power Dissipation:150 mW
DC Current Gain hFE Max:390
Gain Bandwidth Product fT:180 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
Collector- Base Voltage VCBO:60 V
Continuous Collector Current:150 mA
Maximum DC Collector Current:150 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:120
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:400 mV

Техническая документация