Моя заявка (0)
2SC5658T2LR, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014890084
Артикул
2SC5658T2LR
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Вес, г
0.1
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 5,05 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

50 В 150 МВт, 120 В при 1 мА, 6 В 150 мА на биполярныx транзистораx NPN SOT-723 - BJT ROHS

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:VMT-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)150mA
Factory Pack Quantity:8000
Power Dissipation (Pd)150mW
Pd - Power Dissipation:150 mW
DC Current Gain hFE Max:180 at 1 mA, 6 V
Transition Frequency (fT)180MHz
Gain Bandwidth Product fT:180 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)120@1mA, 6V
Collector- Base Voltage VCBO:60 V
Continuous Collector Current:150 mA
Maximum DC Collector Current:150 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:180
Collector Cut-Off Current (Icbo)100uA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:400 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)400mV@50mA, 5mA

Техническая документация