2SC5658T2LQ, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017552122
- Артикул
- 2SC5658T2LQ
- Бренд
- Rohm
- ECCN
- EAR99
- Brand
- ROHM Semiconductor
- HTSUS
- 8541.21.0075
- Series
- 2SC5658
Цена по запросу
(от 4,47 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V 0.15A
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Series | 2SC5658 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 1.2 mm |
| Серия | 2SC5658 |
| Power - Max | 150mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 0.5 mm |
| Ширина | 0.8 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-723 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Base Product Number | 2SC5658 -> |
| Transistor Polarity | NPN |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| DC Current Gain HFE Max | 560 |
| Supplier Device Package | VMT3 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 180 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | VMT-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Continuous Collector Current | 0.15 A |
| Maximum DC Collector Current | 0.15 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 120 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.15 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.15 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |